离子注入高压电源设计(整流逆变部分)开题报告

 2023-03-01 10:59:12

1. 研究目的与意义

研究背景:

中国是全球最大的芯片消费市场。2021年一季度我国进口的芯片总数量为1552.7亿个,进口总金额为936亿美元,同比增长29.9%。而一季度我国出口的芯片总数量只有737亿个,出口总额为314.64亿美元,同比增长31.7%。换言之,进口芯片金额差不多是出口金额的3倍,芯片进出口贸易带来的逆差接近630亿美元。而与此同时美国对华在半导体,5G通信等高科技水平行业的限制与打压却愈演愈烈!美国在半导体行业中限制高端新制程芯片生产设备的对华出口,对中国发展半导体产业造成了一定影响,因此发展国产半导体生产设备势在必行。

目的及意义:

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2. 研究内容与预期目标

研究内容:

离子注入高压电源用于半导体晶元离子注入工艺,其在离子注入中的作用是用负高压电使粒子带电并被加速冲击到晶元上。基本结构: 此电源由两路电压为40KV电流为12.5mA组成,其输入电压是市电交流单相220V,经整流、逆变、升压、倍压等过程产生直流高压电。由于整套电源系统较为复杂分为三部分即控制部分、整流逆变部分、倍压部分分别进行课题研究,本课题设计为整流逆变部分。

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3. 研究方法与步骤

基于单片机的开关稳压电源设计,由PIC单片机、4个SG3525PWM驱动芯片、4个半桥结构等组成。

研究方法

(1)对整个电路进行整体分析,具有单片机控制功能,整流逆变功能,倍压功能等。

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4. 参考文献

1 一种可控谐振电感的半桥LLC电路及其控制[J]. 林维明,张亮亮,陈红星,柳杨.电机与控制学报. 2021(09).

2 开关电源原理与设计[M]. 东南大学出版社 , 沈显庆, 2012(12).

3 基于高压直流电源整流与逆变相关技术概述[J]. 赵青.科技创新与应用. 2018(31) .

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5. 工作计划

①2022年2月26日-2022年3月5日,有针对性的学习课题相关资料,学习相关学科的基础知识,学习实验所需软硬件的相关知识。

②2022年3月6日-2022年3月20日,设定实验方案,采集实验数据。查阅资料,撰写并提交开题报告。

③2022年3月21日-2022年4月25日,进一步理论分析,进行实验,开发相关软硬件系统。

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